Samsung Electronics a confirmé que le nom de code de sa mémoire HBM3E haute bande passante de cinquième génération est Shinebolt. Shinebolt offre une vitesse de transfert de données maximale environ 50 % supérieure à celle de la HBM3, atteignant 1,228 To/s, ce qui fournira un support puissant aux puces IA de prochaine génération. Samsung accélère le développement et la production de Shinebolt afin de rattraper SK Hynix, leader du secteur, et d'augmenter sa capacité de production de HBM pour répondre aux besoins de personnalisation de ses clients. Des prototypes de Shinebolt ont déjà été envoyés aux clients pour des tests, et un produit de 36 Go avec un empilement de 12 couches est en cours de développement. La HBM3e est considérée comme la DRAM de prochaine génération et revêt une importance capitale à l'ère de l'IA.