サムスン電子は本日、世界初の24Gb GDDR7 DRAMの開発に成功したと発表しました。この画期的なブレークスルーは、メモリ技術の新時代を開くだけでなく、急速に発展するAI分野に強力な推進力を与えるものです。この新型メモリチップは、第5世代10ナノメートル級プロセス技術を採用し、前世代製品と同じパッケージサイズを維持しながら、セル密度を50％向上させています。革新的なパルス振幅変調（PAM3）信号技術を採用することで、データ転送速度は40Gbpsに達し、前世代製品と比べて25％向上しました。