Samsung Electronics hat kürzlich bekannt gegeben, seine Investitionen in die Entwicklung von DRAM- und NAND-Flash-Speicherchips mit höherer Dichte weiter zu erhöhen. Gleichzeitig wird in neue Materialien geforscht, um die physikalischen Grenzen der Chip-Leistung und der Fertigungsprozesse zu überwinden und dem anhaltenden Wachstum des Bedarfs an KI-Rechenleistung gerecht zu werden. Samsung wird außerdem die Produktion von HBM-Speicherchips (High Bandwidth Memory) steigern, einem wichtigen Bestandteil von KI-Chips. Das Unternehmen konzentriert sich auf die kundenspezifische Herstellung von HBM-Chips, um die Anforderungen verschiedener Kunden an KI-Rechenleistung zu erfüllen. Um die langfristige Lieferung von KI-Chips zu unterstützen, wird Samsung sein Speicherchip-Portfolio weiter optimieren und verbessern. Branchenanalysten sind der Ansicht, dass diese Maßnahmen Samsung helfen werden, seine führende Position im Bereich der KI-Chips zu festigen.