A Samsung Electronics confirmou que o nome de código de sua memória de alta largura de banda de quinta geração, HBM3E, é Shinebolt. O Shinebolt oferece uma velocidade de transferência de dados aproximadamente 50% maior que a HBM3, atingindo 1,228 TB/s, fornecendo suporte robusto para chips de IA de próxima geração.
A Samsung está acelerando o desenvolvimento e a produção em massa do Shinebolt para alcançar a SK Hynix, líder do setor, e expandir sua capacidade de produção de HBM para atender às demandas personalizadas dos clientes. Protótipos do Shinebolt já foram enviados para testes com clientes, e a empresa está desenvolvendo um produto de 36 GB com 12 camadas empilhadas. A HBM3e é considerada a próxima geração de DRAM e tem um significado crucial na era da IA.
