Samsung Electronics hat bestätigt, dass der Produktname seines fünften High-Bandwidth-Memory (HBM) der dritten Generation, HBM3E, „Shinebolt“ lautet. Shinebolt bietet eine um ca. 50 % höhere Datenübertragungsrate als HBM3 und erreicht beeindruckende 1,228 TB/s. Dies wird zukünftige KI-Chips erheblich unterstützen.
Samsung beschleunigt die Entwicklung und Massenproduktion von Shinebolt, um mit dem Branchenführer SK Hynix Schritt zu halten und die HBM-Kapazitäten zu erweitern, um die individuellen Kundenanforderungen zu erfüllen. Shinebolt-Prototypen wurden bereits an Kunden zur Prüfung geschickt, und ein 12-Layer-Stack mit 36 GB wird derzeit entwickelt. HBM3E gilt als die nächste DRAM-Generation und ist im Zeitalter der KI von großer Bedeutung.
