Samsung Electronics confirma que el nombre en clave de su memoria de alto ancho de banda de quinta generación, HBM3E, es Shinebolt. Shinebolt ofrece una velocidad de transferencia de datos aproximadamente un 50% más rápida que la HBM3, alcanzando los 1,228 TB/s, lo que proporcionará un potente soporte para los chips de IA de próxima generación.

Samsung está acelerando el desarrollo y la producción en masa de Shinebolt para alcanzar a su competidor líder en la industria, SK Hynix, y expandir su capacidad de producción de HBM para satisfacer las necesidades de personalización de sus clientes. Ya se han enviado prototipos de Shinebolt a clientes para su evaluación, y se está desarrollando un producto de 36 GB con un apilamiento de 12 capas. La HBM3e se considera la DRAM de próxima generación y tiene una importancia significativa en la era de la IA.