三星電子の次世代HBM3Eメモリ「Shinebolt」

サムスン電子は、第5世代高帯域幅メモリHBM3Eの製品名「Shinebolt」を発表しました。

Shineboltは、HBM3と比較してデータ転送速度が約50%向上し、最大1.228TB/sに達します。これは次世代AIチップを強力にサポートします。

サムスンは、業界リーダーであるSKハイニックスに追いつき、顧客の個別ニーズに対応するため、Shineboltの開発と量産を加速させています。現在、12層スタックの36GB製品を開発中で、Shineboltのプロトタイプは既に顧客に送られ、テストが行われています。

HBM3Eは次世代DRAMとして位置付けられており、AI時代において非常に重要な役割を果たすと期待されています。