三星电子近日宣布成功研发全球首款24Gb GDDR7DRAM，这一重大突破不仅标志着存储技术进入新纪元，更将为快速发展的AI领域注入强劲动力。这款新型存储芯片采用第五代10纳米级制程工艺，在保持与前代产品相同封装尺寸的同时，实现了50%的单元密度提升。通过创新性地引入脉冲幅度调制（PAM3）信号技术，数据传输速度飙升至40Gbps，较前代产品提升了25%。三星计划于今年在下一代AI计算系统中开展测试，并预计在明年初实现商业化量产。这一技术突破恰逢AI领域快速发展之际。OpenAI于2023年11

最近，三星集团超级企业工会（Super-enterprise Union）发出了一封正式信件，呼吁三星电子在内部使用生成式人工智能工具，比如 ChatGPT，解除现有的限制。工会代表了五个三星子公司的劳动者，他们于10月17日将这封信送到了三星电子董事长李在镕和业务支持工作组负责人郑贤浩的手中。据了解，三星电子此前之所以限制使用这些 AI 工具，是因为担心安全风险，怕重要信息会被外泄。然而，工会认为，这样的限制不仅影响了公司的竞争力，还妨碍了员工的工作效率。工会在信中指出，“一家

三星电子的第五代高带宽内存（HBM）芯片HBM3E，已通过英伟达的测试，获得在人工智能处理器中的使用资格。尽管双方尚未签署正式协议，预计很快将达成供应协议，预计供应将在2024年第四季度开始。此成就对三星而言是与当地竞争对手SK海力士竞争中的关键突破。然而，三星的12层HBM3E芯片在测试中未能通过，为此三星对设计进行了调整以解决热量和功耗问题。HBM作为DRAM的一种，通过垂直堆叠方式节省空间和降低功耗，对GPU处理复杂数据应用至关重要。随着生成式人工智能技术的兴起，市场对高性能GPU需求激增，预计HBM3E芯片将在今年成为市场主流，尤其在下半年。三星预计到2024年第四季度，HBM3E芯片将占其HBM芯片销售的60%。目前，全球主要的HBM制造商仅包括SK海力士、美光和三星。此外，三星在2023年上半年的总DRAM芯片收入约为22.5万亿韩元，其中约10%可能来自HBM的销售。这一消息引起了市场的广泛关注和投资者的期待。

三星电子已开始量产业界最薄的动态随机存取内存(DRAM)低功耗内存芯片，以应对移动设备上人工智能(AI)需求的增长。此次推出的12纳米级、12GB和16GB的LPDDR5X DRAM芯片，厚度仅为指甲的薄度，通过三星在芯片封装方面的专业技术实现。这种设计不仅为移动设备提供更多空间，还能改善空气流通，优化热管理。在性能上，三星的LPDDR5X DRAM芯片表现出色，为高性能的移动AI解决方案设立了新标准。通过与客户的紧密合作，三星计划通过研发更薄的LPDDR DRAM产品，如6层24GB和8层32GB模块，以满足未来对高性能、高密度移动内存解决方案以及更紧凑包装尺寸的需求。

["OpenAI首席执行官SamAltman计划于周五访问韩国，并与三星电子和SK海力士的高层会面。此次会议旨在探讨人工智能技术在芯片领域的应用，并探讨未来的合作机会。","会议有望促进AI技术的发展和应用。","Altman正在与阿拉伯联合酋长国的投资者商讨资助新的AI芯片项目。","他还将与美国众议院共和党议长MikeJohnson进行会面，拜登政府一直在敦促国会通过相关法规来规范AI的应用。"]

["三星电子于11月8日在韩国举办了2023年三星人工智能论坛,分享AI和计算机工程领域的最新研究成果。","论坛第一天的主题是“大规模AI,构建更美好的明天”,吸引了超过1000名参与者。","论坛由三星先进技术研究院和三星研发中心三星研究院主持。","多位顶尖学者做了主题演讲,讨论了语言模型、模拟计算等热点话题。","三星表示这些研究成果将提升公司下一代半导体技术。"]